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SQD40081EL_GE3
MOSFET de puissance, Canal P, 40 V, 50 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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| 1+ | 1,540 € |
| 10+ | 1,130 € |
| 100+ | 0,784 € |
| 500+ | 0,614 € |
| 1000+ | 0,605 € |
| 5000+ | 0,595 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQD40081EL_GE3
Code Commande2932968
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id50A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0085ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance71W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitTrenchFET
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
50A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
71W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0085ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SQD40081EL_GE3
8 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000544
Traçabilité des produits