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SQD50034E_GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 1,690 € |
| 10+ | 1,280 € |
| 100+ | 0,906 € |
| 500+ | 0,700 € |
| 1000+ | 0,643 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQD50034E_GE3
Code Commande3104165
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id100A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0039ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance107W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitTrenchFET
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCTo Be Advised
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5 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
100A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
107W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
To Be Advised
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0039ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000762