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SQJA02EP-T1_GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 60 A, 0.0048 ohm, PowerPAK SO, Montage en surface
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJA02EP-T1_GE3
Code Commande2708313
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id60A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0048ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK SO
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance68W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitTrenchFET
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
60A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK SO
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
68W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0048ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SQJA02EP-T1_GE3
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000186
Traçabilité des produits