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SQM40031EL_GE3
MOSFET de puissance, Canal P, 40 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQM40031EL_GE3
Code Commande2708324
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id120A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.003ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance375W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitTrenchFET
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- MOSFET de puissance TrenchFET®
- Boîtier à faible résistance thermique
- Testé à 100% Rg et UIS
- Qualification AEC-Q101
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
120A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
375W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.003ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
MSL
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SQM40031EL_GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002359
Traçabilité des produits