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SQS840CENW-T1_GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 12 A, 0.014 ohm, PowerPAK 1212, Montage en surface
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| 5000+ | 0,228 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQS840CENW-T1_GE3
Code Commande3263501
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id12A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.014ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK 1212
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance33W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitTrenchFET
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
12A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK 1212
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
33W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.014ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0045
Traçabilité des produits