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SUD50P10-43L-E3
MOSFET de puissance, Canal P, 100 V, 38 A, 0.043 ohm, TO-252AA, Montage en surface
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|---|---|
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| 10+ | 2,010 € |
| 100+ | 1,510 € |
| 500+ | 1,300 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUD50P10-43L-E3
Code Commande2335409
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id38A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.043ohm
Type de boîtier de transistorTO-252AA
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance136W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
Le SUD50P10-43L-E3 est un MOSFET de puissance canal P TrenchFET® avec température d'utilisation de 175°C
- Tension grille-source ±20V
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
38A
Type de boîtier de transistor
TO-252AA
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
136W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.043ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000517