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SUP70040E-GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Traversant
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUP70040E-GE3
Code Commande2611272
Gamme de produitThunderFET
Fiche technique
1.296 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 3,260 € |
| 10+ | 2,410 € |
| 100+ | 1,780 € |
| 500+ | 1,300 € |
| 1000+ | 1,200 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSUP70040E-GE3
Code Commande2611272
Gamme de produitThunderFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..100V
Courant de drain Id120A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0032ohm
Type de boîtier de transistorTO-220AB
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance375W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitThunderFET
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
120A
Type de boîtier de transistor
TO-220AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
375W
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Vds max..
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0032ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
ThunderFET
MSL
-
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.003407
Traçabilité des produits