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WNSC2D06650XQ
Diode Schottky carbure de silicium, Une, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-220F
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Informations produit
FabricantWEEN SEMICONDUCTORS
Réf. FabricantWNSC2D06650XQ
Code Commande3703843
Fiche technique
Gamme de produit-
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive650V
Courant direct moyen6A
Charge Capacitive Totale9nC
Type de boîtier de diodeTO-220F
Nbre de broches2 broches
Température d'utilisation Max.175°C
Type de montage de diodeTraversant
Qualification-
SVHC0
Produits de remplacement pour WNSC2D06650XQ
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Gamme de produit
-
Tension inverse crête répétitive
650V
Charge Capacitive Totale
9nC
Nbre de broches
2 broches
Type de montage de diode
Traversant
SVHC
0
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
6A
Type de boîtier de diode
TO-220F
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :0
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.011506