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IGB110S101XTMA1
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Montage en surface
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGB110S101XTMA1
Code Commande4667115
Gamme de produitCoolGaN G3 Series
Egalement appeléIGB110S101, SP005751574
Fiche technique
3.748 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 1,570 € |
| 10+ | 1,210 € |
| 100+ | 0,995 € |
| 500+ | 0,845 € |
| 1000+ | 0,729 € |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGB110S101XTMA1
Code Commande4667115
Gamme de produitCoolGaN G3 Series
Egalement appeléIGB110S101, SP005751574
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id23A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.011ohm
Charge de porte Typique3.4nC
Type de boîtier de transistorVSON
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches4Broche(s)
Gamme de produitCoolGaN G3 Series
Qualification0
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.011ohm
Type de boîtier de transistor
VSON
Nbre de broches
4Broche(s)
Qualification
0
Courant de drain Id
23A
Charge de porte Typique
3.4nC
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
CoolGaN G3 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits