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IPT059N15N3ATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Montage en surface
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPT059N15N3ATMA1
Code Commande2480870
Gamme de produitOptiMOS 3 Series
Egalement appeléIPT059N15N3, SP001100162
Fiche technique
5.972 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 4,640 € |
| 10+ | 3,790 € |
| 100+ | 3,070 € |
| 500+ | 2,590 € |
| 1000+ | 2,450 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
4,64 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPT059N15N3ATMA1
Code Commande2480870
Gamme de produitOptiMOS 3 Series
Egalement appeléIPT059N15N3, SP001100162
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..150V
Courant de drain Id155A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.005ohm
Type de boîtier de transistorHSOF
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance375W
Nombre de broches8Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitOptiMOS 3 Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
L'IPT059N15N3ATMA1 est un MOSFET de puissance, canal N, OptiMOS™3. Les applications potentielles sont les chariots élévateurs, les véhicules électriques légers (LEV), par ex. e-scooter, e-bikes ou µ-car, Point de chargement (POL), télécom, efuse.
- Niveau normal, excellente charge de porte produit xRDS(on) (FOM)
- Très faible résistance à l'état passant RDS(on), température de fonctionnement 175°C, Boîtier PG-HSOF-8
- Qualifié conformément à JEDEC pour les applications cibles
- Idéal pour une commutation haute fréquence et un redressement synchrone
- Sans halogène conforme IEC 61249-2-21
- Moins de mise en parallèle et de refroidissement requis, fiabilité du système la plus élevée
- Réduction des coûts du système, permettant une conception très compacte
- Résistance à l'état passant, drain-source de 5.9 mohm à VGS = 10V, ID = 150A.
- Courant direct continu de la diode de 155A à TC = 25°C
- Tension de claquage drain-source de 150V à VGS=0V, ID= 1mA
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
155A
Type de boîtier de transistor
HSOF
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
375W
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Vds max..
150V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.005ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nombre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0007