Imprimer la page
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
108 En Stock
100 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison EXPRESS le jour ouvrable suivant
Commander avant 17:00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
Quantité | |
---|---|
1+ | 24,860 € |
5+ | 21,530 € |
10+ | 18,200 € |
50+ | 17,890 € |
100+ | 17,580 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
24,86 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantDSEI2X31-06C
Code Commande9359400
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive600V
Courant direct moyen30A
Tension directe max1.6V
Configuration Module DiodeDouble Isolé
Type de boîtier de diodeModule
Nbre de broches-
Température d'utilisation Max.150°C
Courant de surtension vers l'avant300A
Type de montage de diodePanneau
Gamme de produit-
Aperçu du produit
DSEI2X31-06C is a fast recovery epitaxial diode. Typical applications are antiparallel diode for high frequency switching devices, antisaturation diode, snubber diode, free wheeling diode, rectifiers in switch mode power supplies (SMPS), uninterruptible power supplies (UPS).
- Low loss and soft recovery parallel legs, improved thermal behaviour
- Planar passivated chips, very low Irm-values, base plate is copper internally DCB isolated
- Low leakage current, very soft recovery behaviour, epoxy meets UL 94V-0
- Very short recovery time, operation temperature is -40 to 125°C
- Avalanche voltage rated for reliable operation, industry standard outline
- Soft reverse recovery for low EMI/RFI, isolation voltage is 3000VAC
- SOT-227B (minibloc) package
- Maximum non-repetitive reverse blocking voltage is 600V (T = 25°C)
- Average forward current is 30A (TC = 90°C, TVJ = 150°C), advanced power cycling
- Reverse recovery time is 80ns at TVJ = 25°C, VR = 350V, IF=37A
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
600V
Tension directe max
1.6V
Type de boîtier de diode
Module
Température d'utilisation Max.
150°C
Type de montage de diode
Panneau
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Courant direct moyen
30A
Configuration Module Diode
Double Isolé
Nbre de broches
-
Courant de surtension vers l'avant
300A
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.03
Traçabilité des produits