GAN063-650WSAQ

Le GAN063-650WSAQ est un FET au nitrure de gallium (GaN) de 650V et 50mohm Il s'agit d'un dispositif normalement éteint qui combine les technologies de pointe GaN HEMT haute tension et MOSFET silicium basse tension de Nexperia, offrant une fiabilité et des performances supérieures. Les applications typiques incluent les convertisseurs à commutation matérielle et logicielle pour l'alimentation industrielle et de communication de données, les onduleurs PFC à totem sans pont, les onduleurs PV et UPS et les servomoteurs.

• Charge de récupération inverse ultra faible, commande de grille simple (0 à +10/12V), oxyde de grille robuste (±20V)
• Tension de seuil de grille élevée (+4 V) pour une très bonne immunité aux rebonds de grille
• Très faible tension source-drain en mode de conduction inverse, capacité de surtension transitoire (800V)
• Tension Drain-Source 650V max (55°C ≤ Tj ≤ 175°C)
• Courant de drain 34,5A max (VGS = 10V ; Tmb = 25°C), dissipation de puissance totale de 143W max (Tmb = 25°C)
• Résistance à l'état On, drain-source de 50mohm typ (VGS=10V, ID=25A, Tj=25°C)
• Charge Grille-Drain de 4nC typique (ID = 25A; VDS = 400V; VGS = 10V ; Tj = 25°C)
• Charge totale de grille de 15nC typique (ID = 25A; VDS = 400V ; VGS = 10V ; Tj = 25°C)
• Charge récupérée de 125nC typ. (IS = 25A ; dIS/dt = -1000A/µs ; VGS = 0V ; VDS = 400V)
• Boîtier SOT429 3 broches, plage de température jonction de -55 à 175°C

Avertissements

La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.