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MJD3055T4G
Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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| 500+ | 0,369 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD3055T4G
Code Commande2845306RL
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max60V
Courant Collecteur Continu10A
Dissipation de puissance1.75W
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches4Broche(s)
Fréquence de transition2MHz
Gain de courant DC hFE Min.5hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Courant Collecteur Continu
10A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Nbre de broches
4Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
5hFE
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max
60V
Dissipation de puissance
1.75W
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition
2MHz
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MJD3055T4G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000426
Traçabilité des produits