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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNZT605
Code Commande2825127
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo110V
Dissipation de puissance Pd1W
Courant de collecteur DC1.5A
Boîtier de transistor RFSOT-223
Nombre de broches4Broche(s)
Gain en courant DC hFE2000hFE
Montage transistorMontage en surface
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Dissipation de puissance Pd
1W
Boîtier de transistor RF
SOT-223
Gain en courant DC hFE
2000hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
110V
Courant de collecteur DC
1.5A
Nombre de broches
4Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000175