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NZT605
Transistor Darlington, NPN, 110 V, 1 W, 1.5 A, SOT-223, 4 Broche(s)
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| Quantité | |
|---|---|
| 100+ | 0,310 € |
| 500+ | 0,239 € |
| 1000+ | 0,200 € |
| 5000+ | 0,166 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNZT605
Code Commande2825127RL
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo110V
Tension Collecteur Emetteur Max110V
Courant Collecteur Continu1.5A
Dissipation de puissance Pd1W
Dissipation de puissance1W
Courant de collecteur DC1.5A
Boîtier de transistor RFSOT-223
Nombre de broches4Broche(s)
Gain en courant DC hFE2000hFE
Montage transistorMontage en surface
Température de fonctionnement max..150°C
Gain de courant DC hFE Min200hFE
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Tension Collecteur Emetteur Max
110V
Dissipation de puissance Pd
1W
Courant de collecteur DC
1.5A
Nombre de broches
4Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Gain de courant DC hFE Min
200hFE
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
110V
Courant Collecteur Continu
1.5A
Dissipation de puissance
1W
Boîtier de transistor RF
SOT-223
Gain en courant DC hFE
2000hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000175
Traçabilité des produits