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FDMD8560L
MOSFET double, PowerTrench, Canal N, 60 V, 93 A, 0.0025 ohm
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMD8560L
Code Commande2610668
Gamme de produitPowerTrench Series
Fiche technique
4.367 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 4,040 € |
| 10+ | 2,810 € |
| 100+ | 2,070 € |
| 500+ | 1,680 € |
| 1000+ | 1,650 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMD8560L
Code Commande2610668
Gamme de produitPowerTrench Series
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N60V
Tension drain source Vds, Canal P-
Courant de drain continu Id, Canal N93A
Courant de drain continu Id, Canal P-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.0025ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P-
Type de boîtier de transistorPQFN
Nombre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P48W
Dissipation de puissance, Canal P-
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitPowerTrench Series
Qualification-
Aperçu du produit
FDMD8560L is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET. HS source and LS drain internally connected for half/full bridge, low source inductance package, low rDS(on)/Qg FOM silicon. Application includes synchronous buck primary switch of half / full bridge converter for telecom, motor bridge primary switch of half / full bridge converter for BLDC motor, MV POL 48V synchronous buck switch, and half/full bridge secondary synchronous rectification.
- Ideal for flexible layout in primary side of bridge topology
- 100% UIL tested, kelvin high side MOSFET drive Pin-out capability
- Static drain to source on resistance is 2.5mohm (typ, VGS = 10V, ID = 22A, Q1)
- Drain to source voltage is 60V (Q1, Q2, typ, TA = 25°C)
- Gate to source threshold voltage is 1.0V (typ, Q1, Q2, VGS = VDS, ID = 250µA)
- Power dissipation is 48W (typ, Q1, Q2, TC = 25°C)
- Rise time is 15ns (typ, Q1, Q2, VDD = 30V, ID = 22A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- Reverse recovery time is 53ns (Q1, Q2, IF = 22A, di/dt = 100A/μs, typ)
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C, power 5 x 6 package
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
-
Courant de drain continu Id, Canal P
-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
-
Nombre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
-
Gamme de produit
PowerTrench Series
Tension Drain Source Vds, Canal N
60V
Courant de drain continu Id, Canal N
93A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.0025ohm
Type de boîtier de transistor
PQFN
Dissipation de puissance Canal P
48W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000254
Traçabilité des produits