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MMBFJ175LT1G
Transistor JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 broches, 150 °C
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 20 semaine(s)
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| Quantité | |
|---|---|
| 3000+ | 0,0878 € |
| 9000+ | 0,0735 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
263,40 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBFJ175LT1G
Code Commande2442048
Fiche technique
Tension de claquage Source Grille max.30V
Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min7mA
Courant de drain de tension de Grille zéro max.60mA
Tension de coupure Source Grille max.6V
Type de boîtier de transistorSOT-23
Nbre de broches3 broches
Type de transistorJFET
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Tension de claquage Source Grille max.
30V
Courant de drain de tension de Grille zéro max.
60mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Type de transistor
JFET
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min
7mA
Tension de coupure Source Grille max.
6V
Nbre de broches
3 broches
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MMBFJ175LT1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits