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HT8MB5TB1
MOSFET double, Canal N et P, 40 V, 40 V, 12 A, 15 A, 0.047 ohm
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|---|---|
| 1+ | 1,440 € |
| 10+ | 0,958 € |
| 100+ | 0,690 € |
| 500+ | 0,602 € |
| 1000+ | 0,542 € |
| 5000+ | 0,483 € |
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Informations produit
FabricantROHM
Réf. FabricantHT8MB5TB1
Code Commande4706926
Fiche technique
Type de canalCanal N et P
Tension Drain Source Vds, Canal N40V
Tension drain source Vds, Canal P40V
Courant de drain continu Id, Canal N12A
Courant de drain continu Id, Canal P15A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.047ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.044ohm
Type de boîtier de transistorHSMT
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P13W
Dissipation de puissance, Canal P13W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification0
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N et P
Tension drain source Vds, Canal P
40V
Courant de drain continu Id, Canal P
15A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.044ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
13W
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain Source Vds, Canal N
40V
Courant de drain continu Id, Canal N
12A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.047ohm
Type de boîtier de transistor
HSMT
Dissipation de puissance Canal P
13W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
0
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000006
Traçabilité des produits