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GD75HFX65C1S
Module IGBT, Demi-pont, 100 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Module
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Informations produit
FabricantSTARPOWER
Réf. FabricantGD75HFX65C1S
Code Commande3912063
Fiche technique
Configuration IGBTDemi-pont
Courant Collecteur Continu100A
Courant de collecteur DC100A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)1.45V
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.45V
Dissipation de puissance258W
Dissipation de puissance Pd258W
Température de jonction Tj Max.150°C
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de transistorModule
Borne IGBTGoujon
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo650V
Technologie IGBTTrench
Montage transistorPanneau
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2022)
Spécifications techniques
Configuration IGBT
Demi-pont
Courant de collecteur DC
100A
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.45V
Dissipation de puissance Pd
258W
Température d'utilisation Max.
150°C
Borne IGBT
Goujon
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
650V
Montage transistor
Panneau
SVHC
No SVHC (17-Jan-2022)
Courant Collecteur Continu
100A
Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on)
1.45V
Dissipation de puissance
258W
Température de jonction Tj Max.
150°C
Type de boîtier de transistor
Module
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Technologie IGBT
Trench
Gamme de produit
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2022)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.15