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Quantité | |
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1+ | 21,300 € |
5+ | 20,120 € |
10+ | 18,930 € |
50+ | 17,100 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSH63N65DM6AG
Code Commande4246931
Fiche technique
Type de canalCanal double N
Tension Drain Source Vds, Canal N650V
Tension drain source Vds, Canal P-
Courant de drain continu Id, Canal N53A
Courant de drain continu Id, Canal P-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.056ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P-
Type de boîtier de transistorACEPACK SMIT
Nbre de broches9Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P424W
Dissipation de puissance, Canal P-
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal double N
Tension drain source Vds, Canal P
-
Courant de drain continu Id, Canal P
-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
-
Nbre de broches
9Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
-
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain Source Vds, Canal N
650V
Courant de drain continu Id, Canal N
53A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.056ohm
Type de boîtier de transistor
ACEPACK SMIT
Dissipation de puissance Canal P
424W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :8.2
Traçabilité des produits