Imprimer la page
122 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 102,460 € |
| 5+ | 98,770 € |
| 10+ | 95,070 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
102,46 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantWOLFSPEED
Réf. FabricantC2M0045170P
Code Commande2893480
Gamme de produitC2M
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id72A
Tension Vds max..1.7kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.045ohm
Type de boîtier de transistorTO-247 Plus
Nombre de broches4Broche(s)
Tension de test Rds(on)20V
Tension de seuil Vgs Max2.6V
Dissipation de puissance520W
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitC2M
MSL-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
C2M0045170P is a C2M™ silicon carbide, N-channel enhancement mode power MOSFET. applications include solar inverters, switch mode power supplies, high voltage DC/DC converters, motor drive, pulsed power applications.
- 2nd generation SiC MOSFET technology, optimized package with separate driver source pin
- 8mm of creepage distance between drain and source, resistant to latch-up
- High blocking voltage with low on-resistance, high speed switching with low capacitances
- Reduce switching losses and minimize gate ringing
- Higher system efficiency, reduced cooling requirements
- Increased power density, increased system switching frequency
- Drain-source breakdown voltage is 1700V min (VGS = 0V, ID = 100μA, TC = 25°C)
- 3V typical gate threshold voltage (VDS = VGS, ID = 18mA, TC = 25°C)
- 40 ohm typical drain-source on-state resistance at VGS = 20V, ID = 50A, TC = 25°C
- Operating junction temperature range from -40 to 50°C
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
72A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.045ohm
Nombre de broches
4Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
2.6V
Température de fonctionnement max..
150°C
MSL
-
Type de canal
Canal N
Tension Vds max..
1.7kV
Type de boîtier de transistor
TO-247 Plus
Tension de test Rds(on)
20V
Dissipation de puissance
520W
Gamme de produit
C2M
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.005
Traçabilité des produits